Single Crystal Germanium Wafer / Ingot Featured Image

Monokrystalový germaniový plátek / ingot

Popis

Monokrystalický germánský plátek/ingotnebo monokrystalické germanium je stříbrošedý barevný vzhled, bod tání 937°C, hustota 5,33 g/cm³.Krystalické germanium je křehké a má malou plasticitu při pokojové teplotě.Vysoce čisté germanium se získává zónovým plovoucím a dopovaným indiem a galliem nebo antimonem pro získání vodivosti typu n nebo p, které má vysokou mobilitu elektronů a vysokou pohyblivost otvorů a může být elektricky vyhříváno pro ochranu proti zamlžování nebo námraze aplikací.Single Crystal Germanium je pěstováno technologií Vertical Gradient Freeze VGF, aby byla zajištěna chemická stabilita, odolnost proti korozi, dobrá propustnost, velmi vysoký index lomu a vysoký stupeň dokonalosti mřížky.

Aplikace

Single Crystal Germanium nachází slibné a široké aplikace, ve kterých se používá elektronická kvalita pro diody a tranzistory, infračervená nebo optická germaniová záslepka nebo okénko je pro IR optická okénko nebo disky, optické komponenty používané v nočním vidění a termografických zobrazovacích řešeních pro bezpečnost, dálkové měření teploty, hasicí a průmyslové monitorovací zařízení, lehce dopované germaniové plátky typu P a N lze také použít pro experiment s Hallovým efektem.Článková kvalita je pro substráty používané v III-V solárních článcích s trojitým spojením a pro výkonové koncentrované FV systémy solárních článků atd.

Zeptejte se nyní

Podrobnosti

Tagy

Technické specifikace

Single Crystal Germanium

Monokrystalický germaniový plátek nebo Ingots vodivostí typu n, typu p a nedotovanou vodivostí a orientací <100> ve společnosti Western Minmetals (SC) Corporation lze dodat ve velikosti o průměru 2, 3, 4 a 6 palců (50 mm, 75 mm, 100 mm a 150 mm) s povrchová úprava leptaná nebo leštěná v balení pěnové krabičky nebo kazety na oplatku a v zataveném plastovém sáčku na ingot s kartonovou krabicí vně, na vyžádání je k dispozici také polykrystalický germaniový ingot, nebo jako zakázková specifikace pro dosažení dokonalého řešení.

Symbol	Ge
Protonové číslo	32
Atomová hmotnost	72,63
Kategorie prvku	Metaloid
Skupina, Období, Blok	14, 4, P
Krystalická struktura	diamant
Barva	Šedobílá
Bod tání	937 °C, 1211,40 K
Bod varu	2833 °C, 3106 K
Hustota 300K	5,323 g/cm³
Vnitřní odpor	46 Ω-cm
Číslo CAS	7440-56-4
Číslo ES	231-164-3

Ne.	Položky	Standardní specifikace
1	Germanium oplatka	2"	3"	4"	6"
2	Průměr mm	50,8±0,3	76,2 ± 0,3	100±0,5	150±0,5
3	Metoda růstu	VGF nebo CZ	VGF nebo CZ	VGF nebo CZ	VGF nebo CZ
4	Vodivost	P-typ / dopovaný (Ga nebo In), N-typ/ dopovaný Sb, nedopovaný
5	Orientace	(100) ± 0,5°	(100) ± 0,5°	(100) ± 0,5°	(100) ± 0,5°
6	Tloušťka μm	145, 175, (500-1000)
7	Odpor Ω-cm	0,001-50	0,001-50	0,001-50	0,001-50
8	Mobilita cm2/Vs	>200	>200	>200	>200
9	TTV μm max	5, 8, 10	5, 8, 10	5, 8, 10	5, 8, 10
10	Oblouk μm max	15	15	15	15
11	Osnova μm max	15	15	15	15
12	Dislokace cm-2 max	300	300	300	300
13	EPD cm-2	<4000	<4000	<4000	<4000
14	Počty částic a/wafer max	10 (při ≥0,5μm)	10 (při ≥0,5μm)	10 (při ≥0,5μm)	10 (při ≥0,5μm)
15	Povrchová úprava	P/E, P/P nebo podle potřeby
16	Balení	Jedna nádoba na oplatky nebo kazeta uvnitř, kartonová krabice venku

Ne.	Položky	Standardní specifikace
1	Germaniový ingot	2"	3"	4"	6"
2	Typ	P-typ / dopovaný (Ga, In), N-typ/ dopovaný (As, Sb), nedopovaný
3	Odpor Ω-cm	0,1-50	0,1-50	0,1-50	0,1-50
4	Životnost nosiče μs	80-600	80-600	80-600	80-600
5	Délka ingotu mm	140-300	140-300	140-300	140-300
6	Balení	Uzavřené v plastovém sáčku nebo pěnové krabici uvnitř, kartonová krabice venku
7	Poznámka	Polykrystalický germaniový ingot je k dispozici na vyžádání

Single Crystal Germaniumnachází slibné a široké aplikace, ve kterých se používá elektronická kvalita pro diody a tranzistory, infračervená nebo optická germaniová záslepka nebo okénko je pro IR optická okénko nebo disky, optické komponenty používané v nočním vidění a termografických zobrazovacích řešeních pro bezpečnost, dálkové měření teploty, hasicí a průmyslové monitorovací zařízení, lehce dopované germaniové plátky typu P a N lze také použít pro experiment s Hallovým efektem.Článková kvalita je pro substráty používané v III-V solárních článcích s trojitým spojením a pro výkonové koncentrované FV systémy solárních článků atd.