Indium Arsenid InAs

Popis

Krystal arsenidu india InAs je složený polovodič skupiny III-V syntetizovaný alespoň 6N 7N čistým indiem a prvkem arsenu a vypěstovaný monokrystal postupem VGF nebo Liquid Encapsulated Czochralski (LEC), vzhled šedé barvy, kubické krystaly se strukturou směsi zinku , bod tání 942 °C.Pásmová mezera arsenidu india je přímý přechod identický s arsenidem gallia a zakázaná šířka pásma je 0,45 eV (300 K).Krystal InAs má vysokou uniformitu elektrických parametrů, konstantní mřížku, vysokou mobilitu elektronů a nízkou hustotu defektů.Válcový krystal InAs pěstovaný pomocí VGF nebo LEC může být nakrájen a vyroben na plátek jako řezaný, leptaný, leštěný nebo epi-připravený pro MBE nebo MOCVD epitaxní růst.

Aplikace

Krystalový plátek arsenidu india je skvělým substrátem pro výrobu Hallových zařízení a senzoru magnetického pole pro svou špičkovou hallovou mobilitu, ale úzký energetický pásmový odstup, ideální materiál pro konstrukci infračervených detektorů s rozsahem vlnových délek 1–3,8 µm používaných v aplikacích s vyšším výkonem. při pokojové teplotě, stejně jako infračervené supermřížkové lasery se střední vlnovou délkou, výroba zařízení se středními infračervenými diodami LED pro rozsah vlnových délek 2-14 μm.Kromě toho je InAs ideálním substrátem pro další podporu heterogenních supermřížkových struktur InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb nebo AlGaSb atd.

Zeptejte se nyní

Podrobnosti

Tagy

Technické specifikace

Arsenid indium

InAs

Krystalový plátek indium arseniduje skvělým substrátem pro výrobu Hallových přístrojů a senzorů magnetického pole pro svou špičkovou halovou mobilitu, ale úzký energetický pásmový odstup, ideální materiál pro konstrukci infračervených detektorů s rozsahem vlnových délek 1–3,8 µm používaných v aplikacích s vyšším výkonem při pokojové teplotě, stejně jako infračervené supermřížkové lasery se střední vlnovou délkou, výroba zařízení se středními infračervenými diodami LED pro rozsah vlnových délek 2–14 μm.Kromě toho je InAs ideálním substrátem pro další podporu heterogenních supermřížkových struktur InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb nebo AlGaSb atd.

Ne.	Položky	Standardní specifikace
1	Velikost	2"	3"	4"
2	Průměr mm	50,5±0,5	76,2 ± 0,5	100±0,5
3	Metoda růstu	LEC	LEC	LEC
4	Vodivost	P-typ/Zn-dopovaný, N-typ/S-dopovaný, Nedopovaný
5	Orientace	(100) ± 0,5°, (111) ± 0,5°
6	Tloušťka μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientace Ploché mm	16±2	22±2	32±2
8	Označení Ploché mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilita cm2/Vs	60-300, ≥2000 nebo podle potřeby
10	Koncentrace nosiče cm-3	(3-80)E17 nebo ≤5E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Oblouk μm max	10	10	10
13	Osnova μm max	15	15	15
14	Dislokační hustota max. cm-2	1000	2000	5000
15	Povrchová úprava	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Balení	Jedna nádoba na oplatky zatavená v hliníkovém sáčku.

Lineární vzorec	InAs
Molekulární váha	189,74
Krystalická struktura	Zinková směs
Vzhled	Šedá krystalická pevná látka
Bod tání	(936-942) °C
Bod varu	N/A
Hustota 300K	5,67 g/cm³
Energetická mezera	0,354 eV
Vnitřní odpor	0,16 Ω-cm
Číslo CAS	1303-11-3
Číslo ES	215-115-3

Indium Arsenid InAsve společnosti Western Minmetals (SC) Corporation mohou být dodávány jako polykrystalické kusové nebo monokrystalické jako řezané, leptané, leštěné nebo epi-ready destičky o velikosti 2” 3” a 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm) průměru a p-typ, n-typ nebo nedopovaná vodivost a orientace <111> nebo <100>.Přizpůsobená specifikace je pro naše zákazníky po celém světě perfektním řešením.