FZ silikonový plátek

Popis

FZ Single Crystal Silicon Wafer,Float-zone (FZ) Křemík je extrémně čistý křemík s velmi nízkou koncentrací kyslíku a uhlíkových nečistot tažený technologií rafinace vertikální plovoucí zóny.FZ Floating zone je metoda pěstování monokrystalického ingotu, která se liší od CZ metody, kde je zárodečný krystal připojen pod ingot polykrystalického křemíku a hranice mezi zárodečným krystalem a polykrystalickým krystalickým křemíkem je roztavena indukčním ohřevem RF cívkou pro monokrystalizaci.Vysokofrekvenční cívka a roztavená zóna se pohybují směrem nahoru a podle toho na povrchu zárodečného krystalu tuhne jediný krystal.Křemík s plovoucí zónou je zajištěn rovnoměrnou distribucí dopantu, nižším kolísáním měrného odporu, omezeným množstvím nečistot, značnou životností nosiče, vysokým cílem měrného odporu a vysoce čistým křemíkem.Křemík s plovoucí zónou je vysoce čistá alternativa ke krystalům pěstovaným procesem Czochralski CZ.Díky vlastnostem této metody je FZ Single Crystal Silicon ideální pro použití při výrobě elektronických zařízení, jako jsou diody, tyristory, IGBT, MEMS, diody, RF zařízení a výkonové MOSFETy, nebo jako substrát pro částicové nebo optické detektory s vysokým rozlišením. , napájecí zařízení a senzory, vysoce účinné solární články atd.

dodávka

FZ Single Crystal Silicon Wafer Vodivost typu N a P ve společnosti Western Minmetals (SC) Corporation lze dodat ve velikosti 2, 3, 4, 6 a 8 palců (50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm a 200 mm) a orientace <100>, <110>, <111> s povrchovou úpravou As-cut, Lapovaný, leptaný a leštěný v balení pěnové krabice nebo kazety s kartonovou krabicí vně.