Arsenid kadmia Cd₃As₂|GaAs InAs Nb₃As₂

Popis

Arsenid kadmia Cd₃As₂5N 99,999 %,tmavě šedá barva, s hustotou 6,211 g/cm³, bod tání 721°C, molekula 487.04, CAS12006-15-4, rozpustný v kyselině dusičné HNO₃ a stabilita na vzduchu, je syntetizovaná sloučenina vysoce čistého kadmia a arsenu.Arsenid kadmia je anorganický polokov ze skupiny II-V a vykazuje Nernstův efekt.Krystal arsenidu kademnatého pěstovaný metodou Bridgmanova růstu, nevrstvená objemová semikovová struktura Dirac, je degenerovaný polovodič typu N-typ II-V nebo polovodič s úzkou mezerou s vysokou mobilitou nosiče, nízkou efektivní hmotností a vysoce neparabolickým vedením kapela.Arsenid kadmia Cd₃As₂ nebo CdAs je krystalická pevná látka a nachází stále více uplatnění v polovodičích a ve fotooptickém poli, jako jsou infračervené detektory využívající Nernstův jev, tenkovrstvé snímače dynamického tlaku, laser, LED diody vyzařující světlo, kvantové tečky atd. vyrábět magnetorezistory a ve fotodetektorech.Arsenidové sloučeniny arsenidu GaAs, arsenidu india InAs a arsenidu niobu NbAs nebo Nb₅As₃najít další uplatnění jako elektrolytický materiál, polovodičový materiál, QLED displej, IC pole a další materiálová pole.

dodávka

Arsenid kadmia Cd₃As₂a arsenid galia GaAs, arsenid india InAs a arsenid niobu NbAs nebo Nb₅As₃u Western Minmetals (SC) Corporation s čistotou 99,99 % 4N a 99,999 % 5N je velikost polykrystalického mikroprášku -60 mesh, -80 mesh, nanočástice, hrudka 1-20 mm, granule 1-6 mm, kus, polotovar, sypký krystal a monokrystal atd. nebo jako přizpůsobená specifikace pro dosažení dokonalého řešení.