Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

Epitaxní (EPI) silikonový plátek

Popis

Epitaxní silikonový pláteknebo EPI Silicon Wafer, je plátek polovodivé krystalové vrstvy nanesený na leštěný krystalový povrch křemíkového substrátu epitaxním růstem.Epitaxní vrstva může být stejný materiál jako substrát s homogenním epitaxním růstem nebo exotická vrstva se specifickou požadovanou kvalitou heterogenním epitaxním růstem, která využívá technologii epitaxního růstu, včetně chemické depozice z par CVD, epitaxe v kapalné fázi LPE, stejně jako molekulární paprsek epitaxe MBE pro dosažení nejvyšší kvality nízké hustoty defektů a dobré drsnosti povrchu.Křemíkové epitaxní destičky se primárně používají při výrobě pokročilých polovodičových součástek, vysoce integrovaných integrovaných obvodů s polovodičovými prvky, diskrétních a výkonových zařízení, které se také používají pro prvek diody a tranzistoru nebo substrátu pro IC, jako jsou zařízení bipolárního typu, MOS a BiCMOS.Kromě toho se vícevrstvé epitaxní a tlustovrstvé křemíkové destičky EPI často používají v aplikacích mikroelektroniky, fotoniky a fotovoltaiky.

dodávka

Epitaxial Silicon Wafers nebo EPI Silicon Wafer ve společnosti Western Minmetals (SC) Corporation mohou být nabízeny ve velikosti 4, 5 a 6 palců (100 mm, 125 mm, 150 mm průměr), s orientací <100>, <111>, odpor epivrstvy <1 ohm -cm nebo až 150ohm-cm a tloušťkou epivrstvy <1um nebo až 150um, pro uspokojení různých požadavků na povrchovou úpravu leptanou nebo LTO, baleno v kazetě s kartonovou krabicí venku nebo jako přizpůsobená specifikace pro dokonalé řešení .

Zeptejte se nyní

Podrobnosti

Tagy

Technické specifikace

Epi Silicon Wafer

Epitaxní silikonové destičkynebo EPI Silicon Wafer ve společnosti Western Minmetals (SC) Corporation mohou být nabízeny ve velikosti 4, 5 a 6 palců (100 mm, 125 mm, 150 mm průměr), s orientací <100>, <111>, měrným odporem epivrstvy <1ohm-cm nebo až 150 ohm-cm a tloušťka epivrstvy < 1 um nebo až 150 um, pro uspokojení různých požadavků na povrchovou úpravu leptanou nebo LTO, baleno v kazetě s kartonovou krabicí venku nebo jako přizpůsobená specifikace pro dokonalé řešení.

Symbol	Si
Protonové číslo	14
Atomová hmotnost	28.09
Kategorie prvku	Metaloid
Skupina, Období, Blok	14, 3, P
Krystalická struktura	diamant
Barva	Tmavě šedá
Bod tání	1414 °C, 1687,15 K
Bod varu	3265 °C, 3538,15 K
Hustota 300K	2,329 g/cm³
Vnitřní odpor	3,2E5 Ω-cm
Číslo CAS	7440-21-3
Číslo ES	231-130-8

Ne.	Položky	Standardní specifikace
1	Obecná charakteristika
1-1	Velikost	4"	5"	6"
1-2	Průměr mm	100±0,5	125±0,5	150±0,5
1-3	Orientace	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	Charakteristiky epitaxní vrstvy
2-1	Metoda růstu	CVD	CVD	CVD
2-2	Typ vodivosti	P nebo P+, N/ nebo N+	P nebo P+, N/ nebo N+	P nebo P+, N/ nebo N+
2-3	Tloušťka μm	2,5-120	2,5-120	2,5-120
2-4	Rovnoměrnost tloušťky	≤ 3 %	≤ 3 %	≤ 3 %
2-5	Odpor Ω-cm	0,1-50	0,1-50	0,1-50
2-6	Rovnoměrnost odporu	≤ 3 %	≤5 %	-
2-7	Dislokace cm-2	<10	<10	<10
2-8	Kvalita povrchu	Nezůstávají žádné třísky, zákal nebo pomerančová kůra atd.
3	Vlastnosti podkladu rukojeti
3-1	Metoda růstu	CZ	CZ	CZ
3-2	Typ vodivosti	P/N	P/N	P/N
3-3	Tloušťka μm	525-675	525-675	525-675
3-4	Tloušťka Jednotnost max	3%	3%	3%
3-5	Odpor Ω-cm	Podle potřeby	Podle potřeby	Podle potřeby
3-6	Rovnoměrnost odporu	5%	5%	5%
3-7	TTV μm max	10	10	10
3-8	Oblouk μm max	30	30	30
3-9	Osnova μm max	30	30	30
3-10	EPD cm-2 max	100	100	100
3-11	Profil okraje	Zaoblený	Zaoblený	Zaoblený
3-12	Kvalita povrchu	Nezůstávají žádné třísky, zákal nebo pomerančová kůra atd.
3-13	Povrchová úprava zadní strany	Leptané nebo LTO (5000±500Å)
4	Balení	Uvnitř kazeta, venku kartonová krabice.

Silikonové epitaxní destičkyse primárně používají při výrobě pokročilých polovodičových součástek, vysoce integrovaných integrovaných obvodů s polovodičovými prvky, diskrétních a výkonových součástek, využívaných také pro prvek diody a tranzistoru nebo substrátu pro integrované obvody, jako jsou bipolární zařízení, MOS a BiCMOS zařízení.Kromě toho se vícevrstvé epitaxní a tlustovrstvé křemíkové destičky EPI často používají v aplikacích mikroelektroniky, fotoniky a fotovoltaiky.