Gallium Arsenid GaAs

Popis

Gallium ArsenidGaAs je polovodič s přímou mezerou v pásmu skupiny III-V syntetizovaný alespoň 6N 7N vysoce čistým galliem a arsenovým prvkem a vypěstovaný krystal postupem VGF nebo LEC z vysoce čistého polykrystalického arsenidu galia, vzhled šedé barvy, kubické krystaly se strukturou směsi zinku.S přídavkem uhlíku, křemíku, teluru nebo zinku pro získání n-typu nebo p-typu a poloizolační vodivosti lze válcový InAs krystal rozřezat a vyrobit do polotovaru a plátku v řezu, leptaném, leštěném nebo epi. -připraveno pro epitaxní růst MBE nebo MOCVD.Gallium Arsenide wafer se používá hlavně k výrobě elektronických zařízení, jako jsou infračervené diody emitující světlo, laserové diody, optická okna, tranzistory FET s efektem pole, lineární nebo digitální integrované obvody a solární články.GaAs komponenty jsou užitečné v ultra-vysokých rádiových frekvencích a aplikacích rychlého elektronického přepínání, aplikacích zesilování slabého signálu.Substrát Gallium Arsenide je navíc ideálním materiálem pro výrobu RF komponentů, mikrovlnných frekvenčních a monolitických integrovaných obvodů a LED zařízení v optických komunikačních a řídicích systémech pro svou saturující mobilitu haly, vysokou energetickou a teplotní stabilitu.

dodávka

Gallium Arsenide GaAs ve společnosti Western Minmetals (SC) Corporation může být dodáván jako polykrystalický kusový nebo monokrystalický plátek v řezaných, leptaných, leštěných nebo epi-ready plátcích o velikosti 2” 3” 4” a 6” (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) s průměrem p, n nebo poloizolační vodivostí a orientací <111> nebo <100>.Přizpůsobená specifikace je pro naše zákazníky po celém světě perfektním řešením.

Zeptejte se nyní

Podrobnosti

Tagy

Technické specifikace

Gallium Arsenid

GaAs

Gallium Arsenid GaAsdestičky se používají hlavně k výrobě elektronických zařízení, jako jsou infračervené diody emitující světlo, laserové diody, optická okna, tranzistory FET s efektem pole, lineární nebo digitální integrované obvody a solární články.GaAs komponenty jsou užitečné v ultra-vysokých rádiových frekvencích a aplikacích rychlého elektronického přepínání, aplikacích zesilování slabého signálu.Substrát Gallium Arsenide je navíc ideálním materiálem pro výrobu RF komponentů, mikrovlnných frekvenčních a monolitických integrovaných obvodů a LED zařízení v optických komunikačních a řídicích systémech pro svou saturující mobilitu haly, vysokou energetickou a teplotní stabilitu.

Ne.	Položky	Standardní specifikace
1	Velikost	2"	3"	4"	6"
2	Průměr mm	50,8±0,3	76,2 ± 0,3	100±0,5	150±0,5
3	Metoda růstu	VGF	VGF	VGF	VGF
4	Typ vodivosti	N-Type/Si nebo Te-dopované, P-Type/Zn-dopované, Poloizolační/Nedopované
5	Orientace	(100) ± 0,5°	(100) ± 0,5°	(100) ± 0,5°	(100) ± 0,5°
6	Tloušťka μm	350±25	625±25	625±25	650±25
7	Orientace Ploché mm	17±1	22±1	32±1	Zářez
8	Označení Ploché mm	7±1	12±1	18±1	-
9	Odpor Ω-cm	(1-9)E(-3) pro typ p nebo n, (1-10)E8 pro poloizolační
10	Mobilita cm2/vs	50-120 pro typ p, (1-2,5)E3 pro typ n, ≥4000 pro poloizolační
11	Koncentrace nosiče cm-3	(5-50)E18 pro typ p, (0,8-4)E18 pro typ n
12	TTV μm max	10	10	10	10
13	Oblouk μm max	30	30	30	30
14	Osnova μm max	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	Povrchová úprava	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	Balení	Jedna nádoba na oplatky zatavená v hliníkovém kompozitním sáčku.
18	Poznámky	Na požádání je k dispozici také mechanický plátek GaAs.

Lineární vzorec	GaAs
Molekulární váha	144,64
Krystalická struktura	Zinková směs
Vzhled	Šedá krystalická pevná látka
Bod tání	1400 °C, 2550 °F
Bod varu	N/A
Hustota 300K	5,32 g/cm³
Energetická mezera	1,424 eV
Vnitřní odpor	3,3E8 Ω-cm
Číslo CAS	1303-00-0
Číslo ES	215-114-8

Gallium Arsenid GaAsu Western Minmetals (SC) Corporation může být dodávána jako polykrystalická kusová nebo monokrystalická destička v řezaných, leptaných, leštěných nebo epi-ready destičkách o velikosti 2” 3” 4” a 6” (50 mm, 75 mm, 100 mm , průměr 150 mm), s typem p, typem n nebo poloizolační vodivostí a orientací <111> nebo <100>.Přizpůsobená specifikace je pro naše zákazníky po celém světě perfektním řešením.