CZ Silicon Wafer

Popis

CZ Single Crystal Silicon Wafer je nakrájen z monokrystalického křemíkového ingotu taženého metodou růstu Czochralski CZ, která je nejrozšířenější pro růst křemíkových krystalů velkých válcových ingotů používaných v elektronickém průmyslu k výrobě polovodičových součástek.Při tomto procesu se do roztavené křemíkové lázně, jejíž teplota je přesně řízena, zavádí tenké zrnko krystalického křemíku s přesnými tolerancemi orientace.Zárodečný krystal je pomalu vytahován z taveniny velmi řízenou rychlostí nahoru, krystalické tuhnutí atomů z kapalné fáze probíhá na rozhraní, zárodečný krystal a kelímek se během tohoto vytahovacího procesu otáčejí v opačných směrech, čímž vzniká velký krystalický křemík s dokonalou krystalickou strukturou semene.

Díky magnetickému poli aplikovanému na standardní tah ingotů CZ má monokrystalický křemík Czochralski MCZ indukovaný magnetickým polem srovnatelně nižší koncentraci nečistot, nižší hladinu kyslíku a dislokaci a rovnoměrné kolísání měrného odporu, které dobře funguje ve špičkových elektronických součástkách a zařízeních. výroba v elektronickém nebo fotovoltaickém průmyslu.

dodávka

CZ nebo MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-type a p-type vodivost u Western Minmetals (SC) Corporation lze dodat ve velikosti o průměru 2, 3, 4, 6, 8 a 12 palců (50, 75, 100, 125, 150, 200 a 300 mm), orientace <100>, <110>, <111> s povrchovou úpravou lapované, leptané a leštěné v balení pěnové krabice nebo kazety s kartonovou krabicí vně.

Zeptejte se nyní

Podrobnosti

Tagy

Technické specifikace

CZ Silicon Wafer

CZ Single Crystal Silicon Wafer je základním materiálem při výrobě integrovaných obvodů, diod, tranzistorů, diskrétních součástek, používaných ve všech typech elektronických zařízení a polovodičových zařízení, jakož i substrátu při epitaxním zpracování, substrátu SOI wafer nebo výrobě poloizolačních destiček, zvláště velkých průměry 200 mm, 250 mm a 300 mm jsou optimální pro výrobu ultra vysoce integrovaných zařízení.Jednokrystalový křemík se také používá pro solární články ve velkém množství ve fotovoltaickém průmyslu, jehož téměř dokonalá krystalová struktura poskytuje nejvyšší účinnost přeměny světla na elektřinu.

Ne.	Položky	Standardní specifikace
1	Velikost	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Průměr mm	50,8±0,3	76,2 ± 0,3	100±0,5	150±0,5	200±0,5	300±0,5
3	Vodivost	P nebo N nebo nedopované
4	Orientace	<100>, <110>, <111>
5	Tloušťka μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 nebo podle potřeby
6	Odpor Ω-cm	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 atd.
7	RRV max	8 %, 10 %, 12 %
8	Primární Plochý/délka mm	Jako SEMI standard nebo podle potřeby
9	Sekundární Ploché/délka mm	Jako SEMI standard nebo podle potřeby
10	TTV μm max	10	10	10	10	10	10
11	Oblouk a osnova μm max	30	30	30	30	30	30
12	Povrchová úprava	Výřez, L/L, P/E, P/P
13	Balení	Pěnová krabice nebo kazeta uvnitř, kartonová krabice venku.

Symbol	Si
Protonové číslo	14
Atomová hmotnost	28.09
Kategorie prvku	Metaloid
Skupina, Období, Blok	14, 3, P
Krystalická struktura	diamant
Barva	Tmavě šedá
Bod tání	1414 °C, 1687,15 K
Bod varu	3265 °C, 3538,15 K
Hustota 300K	2,329 g/cm³
Vnitřní odpor	3,2E5 Ω-cm
Číslo CAS	7440-21-3
Číslo ES	231-130-8

CZ nebo MCZ Single Crystal Silicon WaferVodivost typu n a typu p ve společnosti Western Minmetals (SC) Corporation lze dodat ve velikosti o průměru 2, 3, 4, 6, 8 a 12 palců (50, 75, 100, 125, 150, 200 a 300 mm), orientace <100>, <110>, <111> s povrchovou úpravou řezané, lapované, leptané a leštěné v balení pěnové krabice nebo kazety s kartonovou krabicí vně.